過程控制：半導體(tǐ)晶圓制造過程中(zhōng)不同工(gōng)藝之後，往往需要進行尺寸測量、缺陷檢測等，用(yòng)于工(gōng)藝控制、良率管理(lǐ)，要求快速、準确。尺寸測量、缺陷檢測等應用(yòng)于每道制程工(gōng)藝之後。IC量測設備用(yòng)于工(gōng)藝控制、良率管理(lǐ)，檢測要求快速、準确、非破壞。IC量測在發展過程中(zhōng)，在尺寸微縮、複雜3D、新(xīn)型材料方面面臨各類技(jì )術難點，面對諸如存儲、CIS、化合物(wù)半導體(tǐ)等不同半導體(tǐ)檢測等多(duō)種需求不斷升級。IC量測設備的技(jì )術類别包括探針顯微鏡、掃描/透射電(diàn)鏡、光學(xué)顯微鏡、橢偏/散射儀等，技(jì )術發展方向包括延續現有(yǒu)的非破壞測量技(jì )術，電(diàn)鏡方面推進并行電(diàn)子束技(jì )術，散射儀向EUV、X射線(xiàn)延伸以縮小(xiǎo)波長(cháng)，并聯合多(duō)種測量手段和機器學(xué)習實現混合測量等。



過程控制設備包括應用(yòng)于工(gōng)藝過程中(zhōng)的測量類設備（Metrology）和缺陷（含顆粒）檢查類設備（Inspection）。芯片生産(chǎn)過程中(zhōng)，在線(xiàn)工(gōng)藝檢測設備要對經過不同工(gōng)藝後的晶圓進行無損的定量測量和檢查，從而保證工(gōng)藝的關鍵物(wù)理(lǐ)參數（如薄膜厚度、線(xiàn)寬、溝/孔深度、側壁角等）滿足要求，同時發現可(kě)能(néng)出現的缺陷并對其進行分(fēn)類，剔除不合格的晶圓，避免後續工(gōng)藝浪費。工(gōng)藝檢測設備的另一個作(zuò)用(yòng)是協助工(gōng)藝開發和試生産(chǎn)時優化設備運行參數和光掩模的設計，優化整個工(gōng)藝流程，縮短開發時間，提升成品率并實現量産(chǎn)。

半導體(tǐ)量測Metrology主要包括：

1）套刻對準的偏差測量；

2）薄膜材料的厚度測量；

3）晶圓在光刻膠曝光顯影後、刻蝕後和CMP工(gōng)藝後的關鍵尺寸（CD）測量；

4）其他(tā)：如晶圓厚度，彎曲翹曲（Bow/Warp），1D/2D應力stress，晶圓形貌，四點探針測電(diàn)阻RS，XPS測注入含量等，AFM（原子力顯微鏡）/Metal plus（超聲波）測台階高度（Step Height）等。



半導體(tǐ)檢測Inspection主要包括：

1）無圖形缺陷檢測，包括顆粒（particle）、殘留物(wù)（residue）、刮傷（scratch）、警惕原生凹坑（COP）等；

2）有(yǒu)圖像缺陷檢測，包括斷線(xiàn)（break）、線(xiàn)邊缺陷（bite）、橋接（bridge）、線(xiàn)形變化（Deformation）等；

3）掩模版缺陷檢測，包括顆粒等；

4）缺陷複檢，針對檢測掃出的缺陷（位置，大小(xiǎo)，種類），用(yòng)光學(xué)顯微鏡或掃描電(diàn)鏡确認其存在。